由于碳纳米管具有独特的形状和电子性能，极有希望成为未来电子元件制造的主要原材料。然而，碳原子的排列方式不同，可使纳米管呈现出高导电（金属性）或半导电的性质。多达三分之一的新合成的碳纳米管样本都显示出金属的高导性质，这为制造基于半导性的晶体管等电子设备增添了不少麻烦。

　　由于金属的阻力最小，电流将只通过高导性的碳纳米管。之前的研究一直依赖于将金属性碳纳米管分离出来，以解决这个棘手问题。现在，来自美国南加州大学的研究小组开发出了一种更简易的方式：通过紫外线使碳纳米管发生氧化，在金属性纳米管的碳原子结构内形成缺陷，从而使均化的纳米管显现出半导体的性质。

　　在正确的波长范围内，紫外线将破坏空气中的氧分子，产生氧自由基和臭氧。它们将攻击碳纳米管，使其表面附着上氧分子群。这一过程不会对半导性碳纳米管造成很大影响，却能显著降低金属性碳纳米管的导电性。

　　英国萨里大学的碳纳米管专家大卫·凯里表示，高导性至半导性的转换使得碳纳米管具备了出色的晶体管特性，使用碳纳米管制成的半导体设备具有很大潜力。通过去除金属性纳米管，可增加晶体管的开关电流比率，实现半导体设备的真正关闭。更重要的是，这一过程能使大量的材料即刻实现转换，或者说可以在制造过程的最后一步进行这种转换。凯里认为，这一成果为制造基于碳纳米管的纳米电子设备打开了大门。